Węglik krzemu (SiC) jest materiałem rdzenia półprzewodników złożonych trzeciej generacji. Dzięki właściwościom fizycznym, takim jak pole elektryczne o wysokim przebiciu, wysoka przewodność cieplna i szeroka przerwa wzbroniona, przebija pułap wydajności tradycyjnych urządzeń zasilających na bazie krzemu i jest podstawowym komponentem w scenariuszach wysokiego napięcia i dużej mocy, takich jak pojazdy nowej energii, zasilacze obliczeniowe AI, fotowoltaiczne magazynowanie energii i transport kolejowy. W 2025 r. branża doświadczyła nadwyżki mocy produkcyjnych i głębokiego oczyszczenia w wyniku wojen cenowych. Począwszy od czwartego kwartału 2025 r. w branży nastąpi strukturalny punkt zwrotny. Wysokiej jakości substraty i urządzenia do zastosowań motoryzacyjnych i AI wchodzą w cykl niedoborów, podczas gdy podaż tańszych produktów ogólnego przeznaczenia pozostaje luźna, co wskazuje na oczywiste strukturalne zróżnicowanie w branży. Rynek globalny utrzymuje wysoką złożoną stopę wzrostu w perspektywie długoterminowej, przy czym podstawową bazą są nowe pojazdy energetyczne, a infrastruktura obliczeniowa AI staje się drugą krzywą wzrostu. Krajowa sieć przemysłowa osiągnęła przełom w segmencie podłoży, będąc światowym liderem pod względem udziału w rynku podłoży 8-calowych, podczas gdy segmenty epitaksji, urządzeń i modułów w dalszym ciągu przyczyniają się do postępu w krajowej substytucji. Jednak głównymi niedociągnięciami pozostają certyfikacja na poziomie motoryzacyjnym, wydajność, koszty i bariery patentowe.
I. Przegląd branży: podstawowe zasady dotyczące węglika krzemu (SiC) i struktury łańcucha przemysłowego
1.1 Właściwości materiału i zastosowanie węglika krzemu
Węglik krzemu (SiC) to złożony materiał półprzewodnikowy składający się z krzemu i węgla, należący do półprzewodników o szerokiej przerwie energetycznej trzeciej generacji. W porównaniu z tradycyjnymi materiałami krzemowymi (Si) ma trzy podstawowe zalety: natężenie pola elektrycznego przebicia jest w przybliżeniu 3 razy większe niż w przypadku krzemu, co pozwala na obsługę wyższych poziomów napięcia; przewodność cieplna jest około 3 razy większa niż w przypadku krzemu, co znacznie poprawia zdolność rozpraszania ciepła; a straty przełączania są niższe przy większej odporności na wysoką temperaturę. W scenariuszach konwersji mocy o wysokim napięciu i dużej mocy urządzenia zasilające SiC mogą zmniejszyć straty systemowe, zmniejszyć rozpraszanie ciepła i objętość, a także poprawić efektywność konwersji energii, co czyni je podstawowym materiałem do transformacji energetycznej i infrastruktury obliczeniowej.
Tradycyjne krzemowe tranzystory IGBT (tranzystory bipolarne z izolowaną bramką) mają wyraźne wady w zakresie strat i rozpraszania ciepła w platformach wysokiego napięcia 800 V i wyższych, podczas gdy tranzystory polowe SiC MOSFET (tranzystory polowe z węglika krzemu, tlenku i półprzewodnika z węglikiem krzemu) są w sposób naturalny przystosowane do platform wysokiego napięcia 800 V, stając się tym samym głównym wyborem dla platform wysokiego napięcia dla nowych pojazdów energetycznych. Oprócz urządzeń zasilających SiC można również stosować w nowych kierunkach, takich jak urządzenia RF i zaawansowane podłoża do rozpraszania ciepła w opakowaniach, otwierając większą przestrzeń rynkową.
1.2 Struktura łańcucha przemysłowego
Łańcuch przemysłowy SiC jest podzielony na trzy główne segmenty: substraty wyższego szczebla i epitaksja; produkcja chipów, urządzeń i modułów mocy średniego szczebla; i dalsze zastosowania. Podłoża to segment o największej wartości i najsilniejszych barierach technicznych w całym łańcuchu przemysłowym, odpowiadający za około 47% całkowitego kosztu urządzeń i będący głównym przedmiotem zainteresowania konkurencji branżowej.
1. Wyżej: substraty + epitaksja
Podłoża SiC: dzielą się na przewodzące (urządzenia zasilające, nowe pojazdy energetyczne, magazyny energii, zasilacze AI) i półizolacyjne (urządzenia RF). Najpopularniejszy rozmiar to 6 cali, branża zmierza w stronę 8 cali, a 12 cali weszło w fazę weryfikacji próbki. Większe rozmiary są główną drogą do redukcji kosztów. Powierzchnia substratów 8-calowych jest o 78% większa niż substratów 6-calowych, liczba wykrojników na płytkę wzrasta około 1,8 do 2 razy, utrata krawędzi jest zmniejszona, a koszt na płytkę spada o około 35%. Podstawowe trudności w przygotowaniu podłoża polegają na wydajności wzrostu kryształów, kontroli defektów i skalowaniu wielkości. Piece do wzrostu kryształów, sprzęt do cięcia, szlifowania i polerowania stanowią podstawowe wydatki inwestycyjne.
Płytki epitaksjalne: Warstwy epitaksjalne hoduje się na podłożach za pomocą sprzętu MOCVD (metalowo-organiczne chemiczne osadzanie z fazy gazowej). Wydajność urządzenia zależy od jakości warstwy epitaksjalnej i jest to kluczowe ogniwo łączące podłoża z produkcją chipów.
2. Środkowy nurt: produkcja chipów, urządzenia, moduły mocy
Na płytkach epitaksjalnych SiC procesy półprzewodnikowe, takie jak litografia, trawienie i implantacja jonów, są zakończone w celu przygotowania chipów, takich jak MOSFET i SBD (diody barierowe Schottky'ego); są one następnie pakowane w moduły mocy i dostarczane bezpośrednio do dalszych producentów końcowych. Zagraniczne firmy IDM (Integrated Device Producent) (STMicroelectronics, Infineon, Wolfspeed) zajmują się głównie pełnym łańcuchem od podłoża, przez epitaksję, po urządzenia i moduły; przedsiębiorstwa krajowe częściej przyjmują model podziału pracy, przy czym firmy zajmujące się substratami, zakłady epitaksji oraz firmy projektujące urządzenia i opakowania rozwijają się niezależnie, podczas gdy niektóre przedsiębiorstwa rozszerzają swoją działalność na wyższy poziom, aż do wyższego szczebla.
3. Dalsze zastosowania
Głównym torem są pojazdy nowej energii (inwerter główny, pokładowe OBC, DC-DC, pokładowe słupy ładujące); w dalszej kolejności znajdują się falowniki fotowoltaiczne, konwertery magazynowania energii, zasilacze przemysłowe, zasilacze wysokiego napięcia do serwerów AI, transport kolejowy, sieci wysokiego napięcia i infrastruktura szybkiego ładowania; pionierskim kierunkiem są zaawansowane podłoża do rozpraszania ciepła w opakowaniach dla chipów obliczeniowych AI.
II. Globalny i krajowy status branży SiC
2.1 Przegląd wielkości i rozwoju rynku
Globalny rynek urządzeń zasilających SiC w dalszym ciągu szybko rośnie. W 2025 r. wielkość globalnego rynku urządzeń zasilających SiC wyniesie około 40,691 miliardów RMB. Instytucje przewidują złożoną stopę wzrostu na poziomie 20,5% od 2026 r. do 2032 r., przy czym wielkość rynku osiągnie 147,968 miliarda RMB do 2032 r. Open Source Securities przewiduje, że globalna wielkość rynku SiC osiągnie 12,4 miliarda dolarów do 2030 r., a infrastruktura sztucznej inteligencji będzie odpowiadać za prawie połowę nowego zapotrzebowania, przełamując dotychczasową strukturę wzrostu opierającą się wyłącznie na nowych pojazdach napędzanych energią.
Z punktu widzenia struktury popytu, nowe pojazdy energetyczne generują obecnie około 61% przychodów z urządzeń SiC i stanowią największy rynek zastosowań. Wzrost penetracji modeli platform wysokiego napięcia 800 V bezpośrednio zwiększa zawartość SiC w pojeździe; Zasilacze serwerów AI i ładowanie modułów fotowoltaicznych to druga krzywa wzrostu. W przeszłości rynek ogólnie definiował SiC jako materiał na tor nowych pojazdów energetycznych. Obecna logika branży została zaktualizowana do modelu składającego się z trzech czynników: „nowe pojazdy energetyczne + moc obliczeniowa AI + nowe magazynowanie energii”.
2.2 Schemat podaży i popytu: głębokie oczyszczenie w 2025 r., niedobory strukturalne w 2026 r.
W latach 2021–2024 w tor SiC napłynęły duże ilości krajowego kapitału i w skoncentrowany sposób uruchomiono dużą liczbę projektów dotyczących 6-calowych podłoży. Możliwości przemysłu szybko się zwiększały. W połączeniu z okresowym popytem w branży nowych pojazdów energetycznych w 2025 r. niższym od oczekiwań, branża wkroczyła w zaciekłą wojnę cenową. Ceny substratów z niższej półki i urządzeń ogólnego przeznaczenia gwałtownie spadły, wielu małych i średnich producentów poniosło straty, a branża weszła w cykl oczyszczania mocy produkcyjnych. Wykorzystanie mocy produkcyjnych z niższej półki znacznie spadło, a niektórzy producenci opuścili rynek.
Począwszy od czwartego kwartału 2025 r. nastąpiło odwrócenie zależności między podażą a popytem, ale nie był to kompleksowy niedobór dostaw, a raczej niedobór strukturalny: (1) Dostawy wysokiej jakości podłoży przewodzących, epitaksji i modułów MOSFET do zastosowań motoryzacyjnych i AI są ograniczone. Wykorzystanie mocy produkcyjnych wiodących producentów podłoży powróciło do ponad 90%, ceny 6-calowych nośników osiągnęły najniższy poziom i odbiły, a 8-calowe podłoża przestały spadać i nieznacznie wzrosły; zagraniczni producenci IDM Infineon i STMicroelectronics, a także krajowe firmy, takie jak Yangjie Technology, sukcesywnie podnoszą notowania urządzeń. Terminy dostaw urządzeń SiC do zasilaczy serwerów AI wydłużyły się do około 30 tygodni, a ceny wzrosły o ponad 15% w porównaniu z końcem 2025 r. (2) Dostawy substratów z niższej półki o niskim wskaźniku usterek, które nie mogą przejść certyfikacji na poziomie motoryzacyjnym ani urządzeń o przemysłowych specyfikacjach ogólnego przeznaczenia, pozostają nadmierne, a ceny w dalszym ciągu znajdują się pod presją.
Podstawowy rezultat tej rundy przetasowań w branży: konkurencja w branży przeniosła się z prostego konkurowania w skali wydajności do wszechstronnej rywalizacji w zakresie możliwości w zakresie wydajności, kontroli defektów, certyfikacji na poziomie motoryzacyjnym, stabilnych dostaw i kontroli kosztów. Koncentracja przemysłu stale rośnie, na czym korzystają wiodące przedsiębiorstwa.
2.3 Globalny krajobraz konkurencyjny
Tradycyjni zagraniczni giganci mają przewagę jako pierwsi na rynku i przyjmują głównie model IDM: Wolfspeed (Stany Zjednoczone, dawniej Cree), ROHM (Japonia), STMicroelectronics (ST), Infineon (Infineon) i onsemi. Zagraniczni producenci mają głęboką akumulację patentów na podłoża, certyfikacji klientów z branży motoryzacyjnej, procesów urządzeń i pakowania modułów i od dawna zajmują główny udział w światowym rynku urządzeń zasilających.
Krajowe przedsiębiorstwa dokonały znaczących przełomów w segmencie substratów. W 2025 roku krajowe przedsiębiorstwa osiągnęły światową pozycję lidera w dziedzinie podłoży przewodzących. Udział Tianyue Advanced w światowym rynku 8-calowych podłoży SiC przekroczył 50%, a jej globalny udział w 6-calowych podłożach przewodzących zajął pierwsze miejsce. Tianyue Advanced i Tianke Heda posiadają łącznie udział w rynku substratów przewodzących większy niż Wolfspeed. Dostawy substratów SiC do Chin stanowią około 50% całości dostaw na świecie i zaliczają się do pierwszego poziomu na świecie. Krajowe segmenty epitaksji, urządzeń i modułów są nadal na etapie nadrabiania zaległości. Krajowi producenci urządzeń wciąż pozostają w tyle za zagranicznymi liderami pod względem certyfikacji na poziomie motoryzacyjnym, niezawodności i stabilnych możliwości dostaw seryjnych. Pięciu największych producentów na krajowym rynku urządzeń elektroenergetycznych zajmuje łącznie 70,4% udziału w rynku, przy czym cała trójka to przedsiębiorstwa zagraniczne, podczas gdy producenci krajowi nadal mają stosunkowo niski udział w rynku.
Reprezentatywne przedsiębiorstwa w każdym segmencie krajowego łańcucha przemysłowego: (1) Substraty: Tianyue Advanced, Tianke Heda, Luxshare Technology; (2) Epitaksja: Tianyue Advanced, San'an Optoelectronics, Changfei Advanced; (3) Urządzenia/moduły: StarPower Semiconductor, Times Electric, Silan Microelectronics, Yangjie Technology, Basic Semiconductor; (4) Sprzęt na wyższym szczeblu łańcucha dostaw: Jingsheng Mechanical & Electrical (piece do wzrostu kryształów), Jingsheng Equipment, AMEC (sprzęt do epitaksji MOCVD).
2.4 Środowisko polityki wewnętrznej
Jako kluczowy szlak półprzewodników trzeciej generacji i sił wytwórczych nowej jakości, węglik krzemu należy do strategicznego kierunku autonomii i sterowalności krajowych półprzewodników. Krajowe „14. plan pięcioletni” i „15. plan pięcioletni” w dalszym ciągu wspierają industrializację materiałów i urządzeń półprzewodnikowych trzeciej generacji, a wiele miejscowości utworzyło specjalne fundusze przemysłowe w celu zapewniania dotacji na budowę linii produkcyjnych, inwestycje w badania i rozwój oraz projekty industrializacyjne. Jednocześnie krajowe polityki przemysłowe dotyczące nowych pojazdów napędzanych energią, magazynowania energii fotowoltaicznej i infrastruktury obliczeniowej pośrednio zwiększają popyt na SiC na niższym szczeblu łańcucha dostaw. Dywidendy polityczne przyspieszają weryfikację i wprowadzenie krajowych łańcuchów dostaw, ale dotacje branżowe stopniowo przechodzą z dotacji na moce produkcyjne na rzecz wskaźników wysokiej jakości, takich jak badania i rozwój, poprawa wydajności i certyfikacja na poziomie motoryzacyjnym.
III. Analiza popytu na rynku niższego szczebla: trzy główne ścieżki napędowe, restrukturyzacja logiki wzrostu
3.1 Nowe pojazdy energetyczne: podstawowa baza branżowa, platformy 800 V zwiększają wartość pojazdu
Największym źródłem zapotrzebowania na SiC pozostają nowe pojazdy energetyczne. Tradycyjne platformy 400 V są zdominowane przez krzemowe tranzystory IGBT; Platformy wysokiego napięcia 800 V mają takie zalety, jak szybkie ładowanie, zmniejszenie masy i większy zasięg, a tranzystory MOSFET SiC stały się głównym rozwiązaniem. Urządzenia SiC są stosowane w takich komponentach, jak główny falownik, pokładowy OBC, DC-DC i pokładowa ładowarka, a wartość SiC na pojazd jest znacznie wyższa niż w przypadku rozwiązań opartych na krzemie 400 V.
Globalni producenci samochodów głównego nurtu, tacy jak Tesla, BYD, NIO, XPeng, Volkswagen i Mercedes-Benz nadal wprowadzają rozwiązania SiC w modelach z najwyższej półki. W miarę jak modele platformowe 800 V zanikają w modelach średniej klasy, penetracja SiC będzie nadal rosła. W perspektywie krótkoterminowej branża nowych pojazdów energetycznych stoi przed presją wahań sprzedaży, ale średnio- i długoterminowy trend w zakresie elektryfikacji jest pewny. Rosnąca penetracja platform 800 V to główna linia, która stale napędza popyt na urządzenia SiC.
3.2 Zasilacze do centrów danych AI: druga krzywa wzrostu, zmiana sufitu branży
Wielkomodelowe klastry obliczeniowe AI wymagają ogromnych zasilaczy serwerów, a modernizacja architektur wysokonapięciowych zasilaczy serwerów AI stwarza znaczne zapotrzebowanie na SiC. W tradycyjnych zasilaczach serwerowych dominują urządzenia oparte na krzemie. Zasilacze AI dużej mocy i dużej gęstości nakładają wyższe wymagania dotyczące strat, rozpraszania ciepła i gęstości mocy. Urządzenia SiC mogą znacznie zmniejszyć straty zasilania, zmniejszyć objętość zasilacza i obniżyć ciśnienie rozpraszania ciepła. Open Source Securities przewiduje, że do 2030 r. infrastruktura sztucznej inteligencji będzie stanowić prawie połowę zapotrzebowania rynku SiC, stając się najważniejszym źródłem przyrostowym w branży.
Kierunek graniczny: SiC jako podłoże o wysokiej przewodności cieplnej do zaawansowanych opakowań CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate), stosowane do rozpraszania ciepła w układach komputerowych obsługujących HBM (High Bandwidth Memory). Jeśli dojdzie do industrializacji, SiC przekształci się z materiału na urządzenia zasilające w materiał funkcjonalny do zaawansowanych opakowań, znacznie zwiększając wartość w przeliczeniu na chip i otwierając zupełnie nową przestrzeń rynkową. Jednak kierunek ten jest wciąż na etapie weryfikacji próbki klienta, a industrializacja niesie ze sobą niepewność.
3.3 Magazynowanie energii fotowoltaicznej, przemysł i transport kolejowy: stabilny wzrost
Globalna liczba instalacji fotowoltaicznych i magazynów energii stale rośnie. Scentralizowane falowniki, falowniki łańcuchowe i systemy magazynowania energii PCS stopniowo przechodzą od rozwiązań opartych na krzemie do rozwiązań SiC, poprawiając gęstość mocy falownika i wydajność konwersji. Silniki przemysłowe, zasilacze wysokiego napięcia, transport kolejowy i przesył sieci wysokiego napięcia to średnio- i długoterminowe stabilne wymagania, charakteryzujące się długimi cyklami certyfikacji, stabilnymi zamówieniami i długimi cyklami życia, przy niezwykle wysokich wymaganiach dotyczących niezawodności urządzeń.
IV. Ścieżka iteracji technologii oraz prognoza rozwoju średnio- i długoterminowego
4.1 Krótkoterminowe (2026–2028): wdrożenie na dużą skalę 8-calowych wyświetlaczy, poprawa wydajności + redukcja kosztów, przyspieszona certyfikacja na poziomie motoryzacyjnym
W ciągu najbliższych 2–3 lat głównym kierunkiem branży będzie optymalizacja wydajności 6-calowych urządzeń i rozbudowa na dużą skalę 8-calowych linii do produkcji substratów, epitaksji i urządzeń.. 8 cale to główny rozmiar w branży na następne 3–5 lat. Wiodący krajowi producenci podłoży będą w dalszym ciągu rozbudowywać 8-calowe linie produkcyjne, aby obniżyć koszt w przeliczeniu na płytkę.
Główna sprzeczność w branży przesunęła się z pytania „czy jest pojemność” na „poprawę wydajności, kontrolę defektów i dostarczanie oznaczeń klientów klasy motoryzacyjnej”. Duża liczba producentów urządzeń gospodarstwa domowego przyspiesza proces certyfikacji AEC-Q100 samochodów na poziomie motoryzacyjnym dla producentów samochodów, klientów zajmujących się magazynowaniem energii i źródłami zasilania AI. W miarę ciągłego wzrostu wydajności koszty jednostkowe urządzeń SiC w dalszym ciągu spadają, napędzając penetrację SiC z modeli z najwyższej półki do modeli średniej klasy oraz z zasilaczy z najwyższej półki do ogólnych zasilaczy przemysłowych.
Strona podażowa: po zwolnieniu mocy w 2025 r. tempo rozbudowy nowych mocy spada, a tempo udostępniania nowych mocy jest niższe niż wzrost popytu. Wysokiej jakości produkty klasy motoryzacyjnej utrzymują ścisły wzór, a branża wkracza w cykl wzrostu wolumenu i cen; substraty i urządzenia ogólnego przeznaczenia w dalszym ciągu muszą stawić czoła konkurencji, a mali i średni producenci nieposiadający certyfikatów wydajności i klientów są w dalszym ciągu eliminowani, co jeszcze bardziej zwiększa koncentrację branży.
4.2 Średnioterminowy (2029–2032): 8 cali staje się absolutnym mainstreamem, rozpoczyna się 12-calowa industrializacja, krajowa substytucja wkracza do strefy głębokiej wody
Wydajność 8-calowych linii produkcyjnych w dalszym ciągu optymalizuje się, koszty znacznie spadają, a penetracja SiC w nowych pojazdach napędzanych energią, magazynach energii i zasilaczach AI znacznie wzrasta. Krajowy segment substratów utrzymuje globalną konkurencyjność; Krajowa substytucja w segmentach epitaksji, urządzeń i modułów przyspiesza, a krajowi producenci IDM stopniowo wchodzą do łańcuchów dostaw wiodących zagranicznych producentów samochodów i producentów zasilaczy obliczeniowych.
12-calowe podłoża SiC wchodzą w fazę weryfikacji industrializacji. Firmy takie jak Tianyue Advanced przesłały już próbki 12-calowych produktów, których celem były zaawansowane podłoża do rozpraszania ciepła w opakowaniach i scenariusze urządzeń o bardzo dużej mocy.. 12 cale jeszcze bardziej zmniejszają koszt w przeliczeniu na płytkę, ale inwestycje w sprzęt i trudności w procesie są wyższe, a tempo industrializacji jest wolniejsze niż w przypadku 8 cali.
Rynek globalny szybko się rozwija, a udział przyrostowego wkładu zasilaczy obliczeniowych AI stale rośnie. Rozwój rynku SiC nie jest już całkowicie zależny od wahań cykli pojazdów napędzanych nowymi energią, a wiele scenariuszy niższego szczebla zabezpiecza ryzyko cykli w jednej branży.
4.3 Długoterminowo (po 2032 r.): Technologia dojrzewa, koszty gwałtownie spadają, wkraczamy w fazę popularyzacji na dużą skalę
Koszty urządzeń SiC w dalszym ciągu spadają, stopniowo zastępując krzemowe urządzenia zasilające w większej liczbie scenariuszy średniego i niskiego napięcia, a scenariusze zastosowań rozszerzają się na sprzęt gospodarstwa domowego i zasilacze konsumenckie.. 12-Calowe podłoża SiC pozwalają na masową produkcję na dużą skalę. Globalny krajobraz łańcucha przemysłowego zmierza w stronę stabilności, a Chiny tworzą kompletny, autonomicznie kontrolowany ekosystem przemysłowy SiC o globalnej konkurencyjności w całym łańcuchu, od substratów, sprzętu, epitaksji i chipów po moduły. Jednocześnie istnieje potencjalna konkurencja na szlakach technologicznych. Materiały nowej generacji o szerokim paśmie wzbronionym, takie jak tlenek galu (Ga₂O₃), stwarzają potencjalne zagrożenie substytucją w określonych scenariuszach wysokiego napięcia, jest jednak mało prawdopodobne, aby w perspektywie średnio- i długoterminowej obaliły główną pozycję SiC w półprzewodnikach mocy.
V. Logika inwestycji i wybór ścieżki (perspektywa branży / inwestycji kapitałowych)
Ścieżka SiC jest kapitałochłonną, technologicznie wymagającą i długocykliczną ścieżką weryfikacji. Inwestycje nie mogą po prostu uwzględniać skali wydajności; sedno leży w wydajności, wskaźnikach defektów, certyfikacji klientów, przepływach pieniężnych i krzywej kosztów. Po przetasowaniach w branży w 2025 r. logika inwestycyjna zmieniła się z „rozbudowy mocy produkcyjnych” na „bariery techniczne + bariery dla klientów”.
5.1 Analiza priorytetów inwestycji według segmentu łańcucha przemysłowego
1. Segment substratów wydobywczych: priorytetowo traktuj przedsiębiorstwa produkujące wysokowydajne podłoża przewodzące klasy motoryzacyjnej
Substraty to segment o największej wartości i najsilniejszych barierach w całym łańcuchu przemysłowym i jedyny segment, w którym Chiny osiągnęły światowe przywództwo. Podstawowe wskaźniki inwestycji: wydajność podłoża przewodzącego, gęstość defektów mikrorurek, zdolność do masowej produkcji 8-calowych rur, certyfikacja klienta i możliwości własnego sprzętu do hodowli kryształów. Przedsiębiorstwa substratowe, które mogą wytwarzać jedynie produkty o niskim wskaźniku wad i nie mogą wejść do łańcuchów dostaw klasy motoryzacyjnej, charakteryzują się słabą długoterminową rentownością i stanowią cele wysokiego ryzyka. Urządzenia do hodowli kryształów, cięcia, szlifowania i polerowania na wcześniejszym etapie oferują możliwości zastąpienia na rynku krajowym, a producenci sprzętu czerpią korzyści z ciągłej rozbudowy krajowych linii do produkcji substratów.
2. Segment epitaksji: skupienie się na przedsiębiorstwach zajmujących się epitaksją ze stabilnymi dostawami wsadowymi i kompatybilnością z tranzystorami MOSFET klasy motoryzacyjnej
Jakość epitaksji bezpośrednio determinuje niezawodność urządzenia, a epitaksja na poziomie motoryzacyjnym wiąże się z wysokimi barierami technicznymi. Zakłady epitaksji wymagają ścisłej współpracy z zakładami substratowymi i zakładami urządzeń. Przedsiębiorstwa posiadające stabilną grubość warstwy epitaksjalnej i możliwości kontroli domieszkowania mają długoterminową wartość.
3. Urządzenia średniego szczebla i moduły mocy: skupienie się na oznaczeniach stosowanych w motoryzacji, weryfikacji niezawodności i możliwościach pakowania
Segment urządzeń ma najgłębszą fosę dla zagranicznych gigantów, z długimi cyklami certyfikacji (certyfikacja producentów samochodów trwa zwykle 2-3 lata). Inwestycje powinny priorytetowo traktować przedsiębiorstwa, które uzyskały już oznaczenia od wiodących producentów samochodów, klientów zajmujących się dostawami AI i magazynowaniem energii oraz posiadają certyfikat AEC-Q100; pakowanie modułów mocy jest słabym punktem w kraju, a procesy pakowania o wysokiej niezawodności i zaawansowane technologie pakowania, takie jak spiekanie srebra, oferują możliwości inwestycyjne. Przedsiębiorstwa bez fabryk, posiadające czysty projekt i pozbawione własnych linii produkcyjnych, są narażone na ryzyko związane z dostawami substratów i wahaniami procesów.
4. Koniec zastosowań w dalszej części łańcucha dostaw: skoncentruj się na przedsiębiorstwach zajmujących się zasilaniem i sterowaniem elektronicznym z możliwościami projektowania systemów rozwiązań SiC
Wartość producentów systemów polega nie tylko na zakupie urządzeń, ale także na posiadaniu aplikacji systemowych, rozpraszania ciepła i możliwości algorytmów sterowania dla urządzeń SiC, które mogą maksymalizować korzyści w zakresie wydajności SiC. Priorytetowo traktuj wiodące przedsiębiorstwa w zakresie elektronicznego sterowania 800 V, zasilaczy serwerów AI i magazynowania energii PCS.
5.2 Strategie inwestycyjne
Podstawowe inwestycje kapitałowe: nadaj priorytet układowi w segmentach o wysokiej barierowości, takich jak podłoża, sprzęt wyższego szczebla, epitaksja klasy motoryzacyjnej i moduły mocy; unikaj projektów dotyczących substratów z niższej półki, które opierają się wyłącznie na niskich cenach i niskich plonach. Nadaj priorytet przedsiębiorstwom, które ukończyły dostawę próbek i weryfikację oznaczenia u wiodących klientów oraz poczyniły trwałe inwestycje w badania i rozwój; zachować ostrożność w przypadku projektów, które nie przeszły jeszcze weryfikacji klienta i pozostają jedynie na etapie próbnym.
Inwestycja przemysłowa: Nadaje się do pionowej integracji łańcucha przemysłowego. Producenci samochodów, przedsiębiorstwa zajmujące się magazynowaniem energii i źródłami mocy obliczeniowej mogą zablokować moce produkcyjne substratów i epitaksji na wcześniejszych etapach łańcucha dostaw, aby zapewnić bezpieczeństwo łańcucha dostaw i zabezpieczyć się przed ryzykiem zakłóceń w łańcuchu dostaw za granicą.
Koncentracja na wycenie: Branża znajduje się w cyklu ekspansji, a przedsiębiorstwa na ogół mają wysokie początkowe nakłady inwestycyjne i słabą rentowność. Wyceny PE nie można stosować w uproszczeniu; skoncentruj się na śledzeniu postępów w zwiększaniu wydajności, kosztach jednostkowych płytek, zamówieniach wyznaczania klientów, wykorzystaniu mocy produkcyjnych i przepływach pieniężnych.
VI. Podstawowe ostrzeżenia o ryzyku branżowym
6.1 Ryzyko spadku popytu na rynku niższego szczebla od oczekiwań
If new energy vehicle sales and 800V model penetration fall below expectations, SiC demand will be directly dragged down; if AI server capital expenditure temporarily contracts, AI power supply demand growth will slow. SiC industry demand is deeply tied to the two major capital-expenditure-heavy cyclical industries of new energy and computing power, and there is cyclical fluctuation risk.
6.2 Ryzyko technologii i plonów
Procesy wzrostu kryształów SiC i epitaksji są trudne. Postęp w zakresie poprawy plonów niższy od oczekiwań będzie w dalszym ciągu zwiększał koszty; trudności w uruchomieniu dużych linii produkcyjnych 8-calowych i 12-calowych mogą być wyższe niż oczekiwano; przełomy technologiczne w zakresie innych materiałów o szerokiej przerwie energetycznej, takich jak tlenek galu, mogą stwarzać ryzyko substytucji.
6.3 Ryzyko konkurencji cenowej i pogorszenia zysków
Chociaż produkty dla branży motoryzacyjnej charakteryzują się obecnie strukturalnym niedoborem, jeśli w ciągu najbliższych 2–3 lat w skoncentrowanej produkcji duża liczba 8-calowych substratów zostanie wprowadzona do produkcji w sposób skoncentrowany, w branży może ponownie wystąpić nadpodaż, wywołując nową rundę wojen cenowych, zmniejszając marże brutto przedsiębiorstw i powodując, że wiele przedsiębiorstw nadal będzie przynosić straty. Nakłady inwestycyjne w przemyśle są ogromne, a presja amortyzacyjna wysoka; nawet przy wzroście przychodów przedsiębiorstwa mogą jeszcze przez długi czas ponosić straty.
6.4 Ryzyko patentowe i handel międzynarodowy
Liderzy zagraniczni posiadają dużą liczbę podstawowych patentów na podłoża i urządzenia SiC, a przedsiębiorstwa krajowe stoją w obliczu ryzyka sporów patentowych; kontrola eksportu półprzewodników i bariery w handlu zagranicznym wpływają na ekspansję krajowych przedsiębiorstw do klientów zagranicznych oraz import sprzętu i materiałów.
6.5 Ryzyko certyfikacyjne
Cykle certyfikacji urządzeń przeznaczonych do zastosowań motoryzacyjnych i przemysłowych są długie. Po zainwestowaniu znacznych środków na badania i rozwój, niepowodzenie w certyfikacji klienta lub opóźnione wyznaczenie będzie miało bezpośredni wpływ na komercjalizację projektu.
VII. Wniosek
Jako podstawowy element półprzewodników złożonych trzeciej generacji, węglik krzemu (SiC) w 2025 r. doświadczył brutalnego oczyszczenia mocy produkcyjnych, co zapoczątkowało punkt zwrotny dobrobytu strukturalnego. Logika wzrostu uległa modernizacji z pojedynczego napędu pojazdu nowego typu energetycznego na wielościeżkowy rezonans nowych pojazdów energetycznych + zasilaczy obliczeniowych AI + magazynowania energii fotowoltaicznej. W perspektywie krótkoterminowej branża wykazuje strukturalne zróżnicowanie podaży i popytu: brakuje wysokiej jakości produktów przeznaczonych dla branży motoryzacyjnej, podczas gdy produkty z niższej półki w dalszym ciągu podlegają intensywnej konkurencji; w perspektywie średnio- i długoterminowej głównymi kierunkami są redukcja kosztów 8-calowych monitorów na dużą skalę i zastąpienie ich na rynku krajowym, a zasilacze obliczeniowe AI otwierają długoterminowy pułap wzrostu branży.
Chińska sieć przemysłowa osiągnęła globalne przełomy w segmencie podłoży, podczas gdy segmenty epitaksji, urządzeń i modułów w dalszym ciągu nadrabiają zaległości, ale głównymi niedociągnięciami w dalszym ciągu są certyfikacja na poziomie motoryzacyjnym, wydajność, koszty i patenty. Na poziomie inwestycji przestrzeń długoterminowego wzrostu tej ścieżki jest pewna, ale branża to ścieżka wymagająca dużych nakładów kapitałowych i charakteryzująca się długim cyklem weryfikacji i nie nadaje się do prostego gonienia za koncepcjami wydajności. Podstawowe kryteria kontroli celów inwestycyjnych: wysoka wydajność, niski wskaźnik defektów, wiodące oznaczenia klientów, wdrożenie certyfikacji na poziomie motoryzacyjnym i możliwa do kontrolowania krzywa kosztów. Nadaj priorytet układowi w segmentach o wysokiej barierowości, takich jak podłoża wydobywcze, sprzęt do hodowli kryształów, epitaksja klasy motoryzacyjnej i moduły mocy, i unikaj projektów bez kluczowych klientów, z niską wydajnością i polegających wyłącznie na skali wydajności. Jednocześnie konieczne jest ciągłe śledzenie kluczowych zmiennych, takich jak sprzedaż nowych pojazdów napędzanych energią, wydatki kapitałowe na sztuczną inteligencję, wzrost wydajności 8-calowych pojazdów oraz zagraniczna polityka patentowa i handlowa, aby zapobiec wahaniom cyklicznym i ryzyku, że industrializacja nie spełni oczekiwań.